穿透式電子顯微鏡


TEM 穿透式電子顯微鏡

機型:FEI Tecnai G2 20 S-Twin,

EDS機型:METEK

Ⅰ. 加速電壓:200KV

Ⅱ. 放大倍率:2250~1000kXc

Ⅲ. 燈絲:LaB6

Ⅳ. 高解析像能觀察:Point Resolution: 0.248nm

Line  Resolution : 0.144nm

Ⅴ. Spot size: ≧ 3nm 

Ⅵ. 雙傾斜試片座:X軸± 400; Y軸± 400

Ⅶ. EDS分析:92≧原子序≧ 5 

 

樣品準備須知:

1. 對於試片使用者必須詳細說明試片之材料種類、製作方式與溶劑種類,為減少儀器不必要的污染本單位有權拒絕受理,檢驗樣品具以下條件者禁止進入腔體:

(1) 待測樣品應該具有適當、足夠的機械強度,以避免在進出電鏡、或在檢測的操作過程中,發生剝落、碎裂的狀況。

(2) 低熔點的材料如:銦,錫等,會產生相變及蒸鍍效應。

(3) 在電子束照射下會分解或釋出氣體之樣品,如有機物、高分子等,有影響真空造成污染之虞。

(4) 具強磁性、磁性或易被電磁透鏡吸引的粉末型式樣品或材料。

(5) 未經正確處理或充分乾燥的粉末樣品(至少要在烘箱乾燥八個小時)。

2. 若試片需黏著在銅環上,請使用G1膠,請勿用AB膠。

 

收費標準:

1. 5000元/3hr

2. 鍍碳400元/次〈若需鍍碳請於預約時提出要求〉

註:上述費用均可開立收據 

 

聯絡人:

儀器管理教授:陳厚光 副教授

TEL:07-6577711#3113   Fax: 07-6578444

E-MAIL:houguang@isu.edu.tw

儀器管理員:張馨文 技術員          

TEL:07-6577711#3986   Fax: 07-6578444 

E-MAIL:ISUMALab@isu.edu.tw

儀器室地點:義守大學教學大樓一樓2101精密分析實驗室